型番

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 4.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2319CDS-T1-GE3

RS品番:: 787-9042
メーカー型番:: SI2319CDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 4.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2319CDS-T1-GE3

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥821.00

￥903.10

￥3,000円を超える注文については、送料無料

在庫あり

170 は海外在庫あり
26,550 は 2026年2月16日に入荷予定

「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個	単価	購入単位毎合計*
10 - 140	￥82.10	￥821
150 - 1390	￥72.30	￥723
1400 - 1890	￥61.60	￥616
1900 - 2390	￥51.90	￥519
2400 +	￥41.20	￥412

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:: 787-9042
メーカー型番:: SI2319CDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	4.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	シリーズ	Si2319CDS
	パッケージ型式	SOT-23
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	108mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	-1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	13.6nC
	最大許容損失Pd	2.5W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	3.04mm
	規格 / 承認	No
	幅	1.4 mm
	高さ	1.02mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 4.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	シリーズ Si2319CDS
	パッケージ型式 SOT-23
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 108mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf -1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13.6nC
	最大許容損失Pd 2.5W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 3.04mm
	規格 / 承認 No
	幅 1.4 mm
	高さ 1.02mm
	自動車規格なし

特長

• IEC61249-2-21 準拠のハロゲンフリー

定義

• TrenchFET ® パワー MOSFET

• 100 % 耐久性テスト済み

• RoHS指令2002/95/ECに準拠

用途

•負荷スイッチ

• DC/DC コンバータ

Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 40 V, 4.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2319CDS-T1-GE3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

関連ページ