型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 5.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2318CDS-T1-GE3

RS品番:: 787-9036
Distrelec 品番:: 304-02-276
メーカー型番:: SI2318CDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 5.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2318CDS-T1-GE3

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RS品番:: 787-9036
Distrelec 品番:: 304-02-276
メーカー型番:: SI2318CDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	5.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	40V
	パッケージ型式	SOT-23
	シリーズ	Si2318CDS
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	51mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	2.1W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	5.8nC
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	幅	1.4 mm
	長さ	3.04mm
	高さ	1.02mm
	自動車規格	なし
	Distrelec Product Id	30402276

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 5.6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式 SOT-23
	シリーズ Si2318CDS
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 51mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 2.1W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.8nC
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	幅 1.4 mm
	長さ 3.04mm
	高さ 1.02mm
	自動車規格なし
	Distrelec Product Id 30402276

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 5.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2318CDS-T1-GE3

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NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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