STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 75 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB75NF75LT4

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥966.00

(税抜)

￥1,062.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,796 は 2026年3月23日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 48￥483.00￥966
50 - 478￥446.50￥893
480 - 638￥408.00￥816
640 - 798￥373.00￥746
800 +￥334.50￥669

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
714-6778
メーカー型番:
STB75NF75LT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

75A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

75V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

STripFET II

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

75nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

300W

最大ゲートソース電圧Vgs

15 V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.4mm

規格 / 承認

No

高さ

4.6mm

幅

9.35 mm

自動車規格

なし

NチャンネルSTripFET™ II、STMicroelectronics


広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ