Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 3.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, IRLML0040TRPBF

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725-9347
メーカー型番:
IRLML0040TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

3.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

56mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

1.3W

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.6nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.02mm

幅

1.4 mm

長さ

3.04mm

自動車規格

なし

Distrelec Product Id

304-45-310

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流3.6A、最大許容損失1.3W - IRLML0040TRPBF


このパワーMOSFETは、さまざまな電子回路における効率と信頼性のために設計されています。低オン抵抗と高性能により、エネルギー効率と堅牢な動作が要求されるアプリケーションに適しています。このコンポーネントは、大きな電気負荷を管理する能力で注目されており、オートメーションやエレクトロニクス分野のエンジニアや専門家に適している。

特徴と利点


• 56mΩの低RDS(on)でスイッチング損失を低減

• 効率的な電力制御のためのエンハンスメント・モードをサポート

• 最大連続ドレイン電流3.6Aで安定動作

• 最大ドレイン・ソース間電圧40Vで動作

• 表面実装技術用に設計され、コンパクトな設計に最適

• 高性能を実現するHEXFET技術に対応

用途


• 負荷とシステムの切り替えに最適

• DCモータードライブシステム

• 高速スイッチングとアンプに有効

• 表面実装に最適 コンパクトな回路で

• 各種パワーエレクトロニクス回路に採用

この装置の熱抵抗は？


熱抵抗は通常100℃/Wで、動作中の効率的な放熱を保証する。

ゲートしきい値電圧はデバイスの性能にどのような影響を与えますか？


ゲートしきい値電圧の範囲は1.0V～2.5Vで、さまざまなアプリケーションでゲート制御の柔軟性を提供する。

パルス状のドレイン電流に対応できるか？


そう、この部品は連続定格を超えるパルスのドレイン電流に耐えることができ、過渡状態での信頼性を確保している。

この部品の最大消費電力に影響を与える要因は何ですか？


消費電力は主に周囲温度と熱抵抗の影響を受け、負荷時のジャンクション温度に影響する。

NチャンネルパワーMOSFET 40 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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