Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 2.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, IRLML2246TRPBF

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥303.00

(税抜)

￥333.30

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫限り
  • 90 は 2025年12月29日 に入荷予定
  • 585 は 2025年12月29日 に入荷予定
  • 113,440 は 2026年1月05日 に入荷予定（最終入荷）
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 145￥60.60￥303
150 - 1420￥53.20￥266
1425 - 1895￥45.60￥228
1900 - 2395￥37.60￥188
2400 +￥30.20￥151

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
760-4432
メーカー型番:
IRLML2246TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

236mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.9nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.3W

順方向電圧 Vf

-1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.04mm

幅

1.4 mm

高さ

1.02mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Distrelec Product Id

304-45-315

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V


InfinionのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ