onsemi MOSFET, Nチャンネル, 200 mA, スルーホール, 3 ピン, 2N7000TA
- RS品番:
- 739-0224
- メーカー型番:
- 2N7000TA
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 100 - 940 | ￥44.10 | ￥441 |
| 950 - 1190 | ￥30.40 | ￥304 |
| 1200 - 1590 | ￥23.60 | ￥236 |
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- RS品番:
- 739-0224
- メーカー型番:
- 2N7000TA
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 200 mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V | |
| パッケージタイプ | TO-92 | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 5 Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.3V | |
| 最大パワー消費 | 400 mW | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 幅 | 4.19mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 長さ | 5.2mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 5.33mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 200 mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 60 V | ||
パッケージタイプ TO-92 | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 5 Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最低ゲートしきい値電圧 0.3V | ||
最大パワー消費 400 mW | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
トランジスタ素材 Si | ||
幅 4.19mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
長さ 5.2mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 5.33mm | ||
Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET
強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
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