Microchip MOSFET, Nチャンネル, 200 mA, スルーホール, 3 ピン, 2N7000-G

Microchip Technology のスルーホール実装 N チャンネル MOSFET は、ドレインソース電圧が 60 V 、最大ゲートソース電圧が 30 V の新しい製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、ドレインソース抵抗は 5 Ω です。連続ドレイン電流は 200 mA 、最大消費電力は 1 W です。 この MOSFET の最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。MOSFET は、エンハンスメントモード（通常オフ） MOSFET で、垂直型 DMOS 構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスタの耐電力特性と、MOSデバイス固有の高入力インピーダンス及び正の温度係数を兼ね備えたデバイスになっています。MOS 構造の例に漏れず、このデバイスも熱暴走や熱により誘発される二次降伏とは無縁です。この垂直型 DMOS FET は、スイッチング損失と導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

•並列化が容易
• 優れた熱安定性
•二次的な故障は発生しません
•高い入力インピーダンスと高ゲイン
•ソースドレインダイオード内蔵
•低 CISS と高速スイッチング
•低消費電力ドライブ要件
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C

•アンプ
• コンバータ
•ドライバ：リレー、ハンマー、ソレノイド、ランプ、メモリ、ディスプレイ、バイポーラトランジスタ
など•モータ制御
•電源回路
• スイッチ

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• JEDEC

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