型番

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 630 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-89, DMG1012T-7

RS品番:: 751-4064
メーカー型番:: DMG1012T-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 630 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-89, DMG1012T-7

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RS品番:: 751-4064
メーカー型番:: DMG1012T-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	630mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	シリーズ	DMG1012T-7
	パッケージ型式	SC-89
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	700mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	0.74nC
	順方向電圧 Vf	1.2V
	最大許容損失Pd	280mW
	最大ゲートソース電圧Vgs	6 V
	動作温度 Max	150°C
	幅	0.85 mm
	高さ	0.8mm
	長さ	1.7mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 630mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	シリーズ DMG1012T-7
	パッケージ型式 SC-89
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 700mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.74nC
	順方向電圧 Vf 1.2V
	最大許容損失Pd 280mW
	最大ゲートソース電圧Vgs 6 V
	動作温度 Max 150°C
	幅 0.85 mm
	高さ 0.8mm
	長さ 1.7mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格 AEC-Q104, AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

COO（原産国）:: CN

DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 630 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-89, DMG1012T-7

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NチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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