Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 120 V, 180 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263, IPB036N12N3GATMA1

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梱包形態
RS品番:
754-5428
メーカー型番:
IPB036N12N3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

120V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

OptiMOS 3

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

158nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

300W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.31mm

高さ

4.57mm

幅

9.45 mm

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、100 V以上


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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