onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージ電力 33, FDMC86102L
- RS品番:
- 759-9550
- メーカー型番:
- FDMC86102L
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | ￥271.50 | ￥543 |
| 50 - 498 | ￥239.00 | ￥478 |
| 500 - 998 | ￥206.00 | ￥412 |
| 1000 - 1998 | ￥174.00 | ￥348 |
| 2000 + | ￥141.50 | ￥283 |
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- RS品番:
- 759-9550
- メーカー型番:
- FDMC86102L
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 18A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| パッケージ型式 | 電力 33 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 39mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最大許容損失Pd | 41W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 3.3 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 18A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ PowerTrench | ||
パッケージ型式 電力 33 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 39mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC | ||
最大許容損失Pd 41W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 3.3 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.3mm | ||
高さ 0.75mm | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor PowerTrench® NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
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