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	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプデュアルNチャンネルパワートレンチMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 12A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V
	パッケージ型式電力 33
	シリーズ PowerTrench
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 10mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 30nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs ±12 V
	最大許容損失Pd 1.9W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	トランジスタ構成分離式
	規格 / 承認 Lead-Free and RoHS
	高さ 0.75mm
	幅 3 mm
	長さ 3mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

Semis PowerTrench ® MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。

PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。

ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

2 onsemi デュアルNチャンネルパワートレンチMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 12 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型パッケージ電力 33

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