2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 300 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, NTJD5121NT1G パッケージSC-88

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梱包形態
RS品番:
780-0627
メーカー型番:
NTJD5121NT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

300mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SC-88

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

266mW

順方向電圧 Vf

0.8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.9nC

動作温度 Min

150°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

規格 / 承認

No

長さ

2.2mm

高さ

1mm

幅

1.35 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

デュアルNチャンネルMOSFET、ON Semiconductor


MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor


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