2 onsemi MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 880 mA, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSC-88

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計:*

¥44,034.00

(税抜)

¥48,438.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月13日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000¥14.678¥44,034
15000 - 27000¥14.663¥43,989
30000 - 72000¥14.501¥43,503
75000 - 147000¥14.339¥43,017
150000 +¥14.169¥42,507

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
163-1118
メーカー型番:
NTJD4158CT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

最大連続ドレイン電流Id

880mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SC-88

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

500mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.65V

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.9nC

最大許容損失Pd

270mW

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

長さ

2.2mm

高さ

1mm

1.35 mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
CN

ON Semiconductor デュアルN/PチャネルMOSFET


NTJD1155Lは、デュアルチャネルのMOSFETです。PチャンネルとNチャンネルを1つのパッケージに統合し、低制御信号、低バッテリ電圧、高負荷電流に優れています。NチャンネルはESD保護機能を内蔵しており、1.5Vの低電圧で駆動することができます。Pチャンネルは負荷切替用途で使用するように設計されています。また、PチャンネルはON Semiのトレンチテクノロジーを採用して設計されています。

MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor


関連ページ