2 onsemi MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 880 mA, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, NTJD4158CT1G パッケージSC-88

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梱包形態
RS品番:
780-0614
メーカー型番:
NTJD4158CT1G
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

880mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SC-88

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

500mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.9nC

順方向電圧 Vf

0.65V

最大許容損失Pd

270mW

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

長さ

2.2mm

規格 / 承認

No

高さ

1mm

幅

1.35 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

ON Semiconductor デュアルN/PチャネルMOSFET


NTJD1155Lは、デュアルチャネルのMOSFETです。PチャンネルとNチャンネルを1つのパッケージに統合し、低制御信号、低バッテリ電圧、高負荷電流に優れています。NチャンネルはESD保護機能を内蔵しており、1.5Vの低電圧で駆動することができます。Pチャンネルは負荷切替用途で使用するように設計されています。また、PチャンネルはON Semiのトレンチテクノロジーを採用して設計されています。

MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor


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