型番

onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 1.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-70, NTS4173PT1G

RS品番:: 780-4761
メーカー型番:: NTS4173PT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 1.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-70, NTS4173PT1G

ボリュームディスカウント対象商品

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25 - 125	￥35.76	￥894
150 - 1350	￥31.20	￥780
1375 - 1725	￥26.68	￥667
1750 - 2225	￥22.80	￥570
2250 +	￥18.24	￥456

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RS品番:: 780-4761
メーカー型番:: NTS4173PT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	1.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SC-70
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	280mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	350mW
	最大ゲートソース電圧Vgs	12 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	10.1nC
	順方向電圧 Vf	-1V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	高さ	0.9mm
	幅	1.35 mm
	規格 / 承認	No
	長さ	2.2mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 1.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SC-70
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 280mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 350mW
	最大ゲートソース電圧Vgs 12 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10.1nC
	順方向電圧 Vf -1V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	高さ 0.9mm
	幅 1.35 mm
	規格 / 承認 No
	長さ 2.2mm
	自動車規格なし

onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 1.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-70, NTS4173PT1G

ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V

MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor

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