onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-323 3 ピン
- RS品番:
- 163-1142
- メーカー型番:
- NTS4173PT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価： 購入単位は3000 個
￥18.687
(税抜)
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(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥18.687 | ￥56,061.00 |
| 15000 - 27000 | ￥18.129 | ￥54,387.00 |
| 30000 - 72000 | ￥17.163 | ￥51,489.00 |
| 75000 - 147000 | ￥16.68 | ￥50,040.00 |
| 150000 + | ￥16.196 | ￥48,588.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 163-1142
- メーカー型番:
- NTS4173PT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET、30 → 500 V
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 1.3 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V |
| パッケージタイプ | SOT-323 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 280 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 1.5V |
| 最大パワー消費 | 350 mW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -12 V, +12 V |
| 長さ | 2.2mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 1.35mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 10.1 nC @ 10 V、4.8 nC @ 4.5 V |
| 高さ | 0.9mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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