onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 8 V, 1.5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-323
- RS品番:
- 163-1139
- メーカー型番:
- NTS2101PT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- NTS2101PT1G
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- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 8V | |
| パッケージ型式 | SOT-323 | |
| シリーズ | NTS2101P | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 210mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| 最大許容損失Pd | 330mW | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±8 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 幅 | 1.35 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 8V | ||
パッケージ型式 SOT-323 | ||
シリーズ NTS2101P | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 210mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.4nC | ||
最大許容損失Pd 330mW | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±8 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.9mm | ||
長さ 2.2mm | ||
幅 1.35 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
PチャンネルパワーMOSFET、8 V、ON Semiconductor
MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor
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