onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 950 mA エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSOT-563, NTZS3151PT1G
- RS品番:
- 780-4806
- メーカー型番:
- NTZS3151PT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 780-4806
- メーカー型番:
- NTZS3151PT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 950mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | SOT-563 | |
| シリーズ | NTZS3151P | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 240mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 最大許容損失Pd | 210mW | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| 順方向電圧 Vf | -0.9V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 1.7mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 0.6mm | |
| 幅 | 1.3 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 950mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 SOT-563 | ||
シリーズ NTZS3151P | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 240mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
最大許容損失Pd 210mW | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.6nC | ||
順方向電圧 Vf -0.9V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 1.7mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 0.6mm | ||
幅 1.3 mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルパワーMOSFET、20 V、ON Semiconductor
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