STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerFLAT, STL110N10F7

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 個(1個5個入り) 小計：*

￥2,060.00

(税抜)

￥2,266.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,945 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 145￥412.00￥2,060
150 - 1420￥371.60￥1,858
1425 - 1895￥329.80￥1,649
1900 - 2395￥288.00￥1,440
2400 +￥247.40￥1,237

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
786-3726
メーカー型番:
STL110N10F7
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

110A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

PowerFLAT

シリーズ

STripFET H7

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

5W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

60nC

動作温度 Max

175°C

高さ

0.95mm

幅

6.35 mm

規格 / 承認

No

長さ

5.4mm

自動車規格

なし

STマイクロエレクトロニクス N チャンネル STripFET ™ H7 シリーズ Power MOSFET


幅広い耐圧範囲を持つSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷、低オン抵抗を実現ます。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ