STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerFLAT, STL60N10F7

ボリュームディスカウント対象商品

1 個(1個5個入り) 小計:*

¥737.00

(税抜)

¥810.70

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年7月20日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
5 - 145¥147.40¥737
150 - 1420¥145.00¥725
1425 - 1895¥142.80¥714
1900 - 2395¥140.40¥702
2400 +¥138.20¥691

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
786-3741
メーカー型番:
STL60N10F7
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

STripFET H7

パッケージ型式

PowerFLAT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

16.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

5W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

25nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

5.4mm

6.35 mm

高さ

0.95mm

自動車規格

なし

STマイクロエレクトロニクス N チャンネル STripFET ™ H7 シリーズ Power MOSFET


幅広い耐圧範囲を持つSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷、低オン抵抗を実現ます。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ