Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 630 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-75, SI1012CR-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 個(1個20個入り) 小計：*

￥545.00

(税抜)

￥599.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月27日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
20 - 120￥27.25￥545
140 - 1380￥24.05￥481
1400 - 1780￥20.75￥415
1800 - 2380￥17.55￥351
2400 +￥14.30￥286

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
787-9005
メーカー型番:
SI1012CR-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

630mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

Si1012CR

パッケージ型式

SC-75

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.1Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.3nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

240mW

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

0.8mm

幅

0.86 mm

長さ

1.68mm

自動車規格

なし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ