Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 210 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSC-75, SI1032R-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
787-9024
メーカー型番:
SI1032R-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

210mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SC-75

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

10Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±6 V

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

340mW

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

0.8mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS

幅

0.86 mm

長さ

1.68mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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