Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SISA10DN-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,418.00

(税抜)

￥1,559.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年8月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥141.80￥1,418
150 - 1390￥127.10￥1,271
1400 - 1890￥111.10￥1,111
1900 - 2390￥96.30￥963
2400 +￥81.50￥815

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
787-9409
メーカー型番:
SISA10DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK 1212

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

34nC

最大許容損失Pd

39W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.12mm

幅

3.4 mm

長さ

3.4mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen IV、Vishay Semiconductors


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ