Vishay TrenchFET パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 25 A エンハンスメント型, PCBマウント, 3-Pin パッケージTO-252, SQD25N06-22L_GE3

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梱包形態
RS品番:
787-9480
メーカー型番:
SQD25N06-22L_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

TrenchFET パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

25A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SQ Rugged

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

PCBマウント

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.022Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

62W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

50nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

長さ

6.73mm

高さ

2.38mm

幅

6.22 mm

自動車規格

AEC-Q101

NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor


Vishay SemiconductorのMOSFET SQシリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。

SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点


• AEC-Q101認定

• ジャンクション温度: 最高+175 °C

• 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET®技術

• 画期的な省スペースのパッケージオプション

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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