シングル Vishay MOSFET, タイプNチャンネル, 3 A 500 V, 表面実装 エンハンスメント型, 3-Pin, SIHD3N50D-GE3 パッケージTO-252
- RS品番:
- 787-9143
- メーカー型番:
- SIHD3N50D-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- SIHD3N50D-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | D Series | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3.2Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -30/30 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 高さ | 2.38mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ D Series | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3.2Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -30/30 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 6.22 mm | ||
高さ 2.38mm | ||
長さ 6.73mm | ||
NチャンネルMOSFET、Dシリーズ高電圧、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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