Vishay MOSFET, Nチャンネル, 3 A, 表面実装, 3 ピン, SIHD3N50D-GE3
- RS品番:
- 787-9143
- メーカー型番:
- SIHD3N50D-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- SIHD3N50D-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 3 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 500 V | |
| シリーズ | D Series | |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 3.2 Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V | |
| 最大パワー消費 | 104 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| 長さ | 6.73mm | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 高さ | 2.38mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 3 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 500 V | ||
シリーズ D Series | ||
パッケージタイプ DPAK (TO-252) | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 3.2 Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最低ゲートしきい値電圧 3V | ||
最大パワー消費 104 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -30 V, +30 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 6 nC @ 10 V | ||
長さ 6.73mm | ||
トランジスタ素材 Si | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
幅 6.22mm | ||
高さ 2.38mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
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NチャンネルMOSFET、Dシリーズ高電圧、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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