Vishay Nチャンネル MOSFET60 V 60 A 表面実装 パッケージPowerPAK SO-8 8 ピン
- RS品番:
- 787-9529
- メーカー型番:
- SI7164DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 個 | 単価 |
| 1 - 59 | ￥448.00 |
| 60 - 599 | ￥435.00 |
| 600 - 1199 | ￥331.00 |
| 1200 - 2399 | ￥277.00 |
| 2400 + | ￥224.00 |
- RS品番:
- 787-9529
- メーカー型番:
- SI7164DP-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
詳細情報
NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 60 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK SO-8 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 6.25 m Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
| 最大パワー消費 | 104 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 幅 | 5.26mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 49.5 nC @ 10 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 6.25mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 1.12mm |
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