Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK SO-8, SI7164DP-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
787-9529
メーカー型番:
SI7164DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PowerPAK SO-8

シリーズ

Si7164DP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00625Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

104W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

49.5nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

5.26 mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

1.12mm

長さ

6.25mm

自動車規格

なし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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