Vishay IGBT, SI7489DP-T1-E3

Vishay の表面実装 P チャンネル SO-8 MOSFET は、ドレインソース電圧 100 V 、最大ゲートソース電圧 20 V の新世代製品です。ゲートソース電圧が 10 V の場合、 41 mmohms のドレインソース抵抗を備えています。最大消費電力 83 W 、連続ドレイン電流 28 A となっています。最小駆動電圧は 4.5 V 、最大駆動電圧は 10 V です。この製品は、スイッチング損失及び導電損失を低減するように最適化されています。MOSFET は、性能や機能性を損なうことなく、優れた効率性と長寿命を実現しています。

• ハロゲンフリー
• 1.07mm の低プロファイルの新しい低熱抵抗 PowerPak パッケージ
•動作温度範囲： -55 ° C ～ 150 ° C
• PWM 最適化
• TrenchFET パワー MOSFET

•ハーフブリッジモータドライブ
•高電圧非同期バックコンバータ
•負荷スイッチ

• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC 61249-2-21

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