STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 80 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 165-6582
- メーカー型番:
- STD80N4F6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
在庫切れ
単価： 購入単位は2500 個
￥152.614
(税抜)
￥167.875
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥152.614 | ￥381,535.00 |
| 5000 - 22500 | ￥148.904 | ￥372,260.00 |
| 25000 - 35000 | ￥145.195 | ￥362,987.50 |
| 37500 - 47500 | ￥141.486 | ￥353,715.00 |
| 50000 + | ￥137.776 | ￥344,440.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 165-6582
- メーカー型番:
- STD80N4F6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
NチャンネルSTripFET™ DeepGate™、STMicroelectronics
広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 80 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
| シリーズ | DeepGate, STripFET |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 6 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 70 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 6.2mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 6.6mm |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 高さ | 2.4mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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