STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
165-6582
メーカー型番:
STD80N4F6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

DeepGate, STripFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

70W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

高さ

2.4mm

長さ

6.6mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN

NチャンネルSTripFET™ DeepGate™、STMicroelectronics


広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


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