Nexperia Nチャンネル MOSFET80 V 34 A 表面実装 パッケージSOT-669 4 ピン
- RS品番:
- 798-2861
- メーカー型番:
- PSMN026-80YS,115
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 798-2861
- メーカー型番:
- PSMN026-80YS,115
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 34 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 80 V | |
| パッケージタイプ | SOT-669 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 42 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V | |
| 最大パワー消費 | 74 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 4.1mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 34 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 80 V | ||
パッケージタイプ SOT-669 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 42 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 4V | ||
最低ゲートしきい値電圧 2V | ||
最大パワー消費 74 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
トランジスタ素材 Si | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
長さ 5mm | ||
幅 4.1mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 20 nC @ 10 V | ||
高さ 1.1mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
- COO（原産国）:
- PH
NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia
MOSFETトランジスタ、NXP Semiconductors