Nexperia Nチャンネル MOSFET80 V 34 A 表面実装 パッケージSOT-669 4 ピン

ブランド

Nexperia

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

34 A

最大ドレイン-ソース間電圧

80 V

パッケージタイプ

SOT-669

実装タイプ

表面実装

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗

42 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

4V

最低ゲートしきい値電圧

2V

最大パワー消費

74 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

トランジスタ素材

Si

幅

4.1mm

長さ

5mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

20 nC @ 10 V

動作温度 Max

+175 °C

1チップ当たりのエレメント数

1

動作温度 Min

-55 °C

高さ

1.1mm