Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 82 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-669, PSMN8R2-80YS,115
- RS品番:
- 798-3031
- メーカー型番:
- PSMN8R2-80YS,115
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 798-3031
- メーカー型番:
- PSMN8R2-80YS,115
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 82A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | SOT-669 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 13.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 55nC | |
| 最大許容損失Pd | 130W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4.1 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 82A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 SOT-669 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 55nC | ||
最大許容損失Pd 130W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4.1 mm | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 なし | ||