Nexperia Nチャンネル MOSFET80 V 82 A 表面実装 パッケージLFPAK、SOT-669 4 ピン
- RS品番:
- 124-2416
- メーカー型番:
- PSMN8R2-80YS,115
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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単価： 購入単位は1500 個
￥155.373
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1500 - 1500 | ￥155.373 | ￥233,059.50 |
| 3000 - 13500 | ￥150.735 | ￥226,102.50 |
| 15000 - 21000 | ￥142.696 | ￥214,044.00 |
| 22500 - 28500 | ￥138.677 | ￥208,015.50 |
| 30000 + | ￥134.657 | ￥201,985.50 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 124-2416
- メーカー型番:
- PSMN8R2-80YS,115
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
その他
詳細情報
NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、Nexperia
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、NXP Semiconductors
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 82 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 80 V |
| パッケージタイプ | LFPAK、SOT-669 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 4 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 13.4 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 130 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 4.1mm |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 長さ | 5mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 1.1mm |
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