IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 32 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージPLUS247, IXFX32N80Q3

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梱包形態
RS品番:
801-1496
Distrelec 品番:
302-53-407
メーカー型番:
IXFX32N80Q3
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

32A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

PLUS247

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

270mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.4V

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

140nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1kW

動作温度 Max

150°C

長さ

16.13mm

幅

5.21 mm

高さ

21.34mm

規格 / 承認

No

Distrelec Product Id

30253407

自動車規格

なし

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ


IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。

高速真性整流器

低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)

低真性ゲート抵抗

産業用の標準パッケージ

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高電力密度

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