onsemi MOSFET, Nチャンネル, 98 A, スルーホール, 3 ピン, NTD5862N-1G
- RS品番:
- 802-1036
- メーカー型番:
- NTD5862N-1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
取扱終了
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- RS品番:
- 802-1036
- メーカー型番:
- NTD5862N-1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 98 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V | |
| パッケージタイプ | IPAK | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 5.7 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V | |
| 最大パワー消費 | 115 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 82 nC @ 10 V | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 高さ | 2.38mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 98 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 60 V | ||
パッケージタイプ IPAK | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 5.7 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 4V | ||
最大パワー消費 115 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
長さ 6.73mm | ||
幅 6.22mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 82 nC @ 10 V | ||
トランジスタ素材 Si | ||
高さ 2.38mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60V
MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor