onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 2.1 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, MVGSF1N03LT1G
- RS品番:
- 802-1954
- メーカー型番:
- MVGSF1N03LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 802-1954
- メーカー型番:
- MVGSF1N03LT1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| シリーズ | MGSF1N03L | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 145mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 690mW | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 6nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.01mm | |
| 幅 | 1.4 mm | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
シリーズ MGSF1N03L | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 145mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 690mW | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6nC | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.01mm | ||
幅 1.4 mm | ||
長さ 3.04mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
NチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor
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