onsemi Nチャンネル MOSFET40 V 12 A 表面実装 パッケージPower 33 8 ピン
- RS品番:
- 806-3504
- メーカー型番:
- FDMC8030
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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単価: 購入単位は5個
¥229.40
(税抜)
¥252.34
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
---|---|---|
5 - 145 | ¥229.40 | ¥1,147.00 |
150 - 1420 | ¥223.00 | ¥1,115.00 |
1425 - 1895 | ¥164.40 | ¥822.00 |
1900 - 2395 | ¥135.40 | ¥677.00 |
2400 + | ¥106.20 | ¥531.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 806-3504
- メーカー型番:
- FDMC8030
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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詳細情報
PowerTrench®デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
Semis PowerTrench ® MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 12 A |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 40 V |
パッケージタイプ | Power 33 |
シリーズ | PowerTrench |
実装タイプ | 表面実装 |
ピン数 | 8 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 28 mΩ |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最低ゲートしきい値電圧 | 1V |
最大パワー消費 | 1.9 W |
トランジスタ構成 | 絶縁型 |
最大ゲート-ソース間電圧 | -12 V, +12 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
動作温度 Max | +150 °C |
長さ | 3mm |
標準ゲートチャージ @ Vgs | 12 nC @ 5 V、21 nC @ 10 V |
トランジスタ素材 | Si |
幅 | 3mm |
高さ | 0.75mm |
動作温度 Min | -55 °C |
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