2 onsemi デュアルNチャンネルパワートレンチMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 12 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型, FDMC8030 パッケージ電力 33
- RS品番:
- 806-3504
- メーカー型番:
- FDMC8030
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋5個入り) 小計：*
￥1,492.00
(税抜)
￥1,641.20
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 370 は海外在庫あり
- 2,150 は 2026年1月02日 に入荷予定（最終入荷）
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 145 | ￥298.40 | ￥1,492 |
| 150 - 1420 | ￥261.20 | ￥1,306 |
| 1425 - 1895 | ￥224.40 | ￥1,122 |
| 1900 - 2395 | ￥186.40 | ￥932 |
| 2400 + | ￥149.20 | ￥746 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 806-3504
- メーカー型番:
- FDMC8030
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | デュアルNチャンネルパワートレンチMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| パッケージ型式 | 電力 33 | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 10mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 1.9W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±12 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 30nC | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 規格 / 承認 | Lead-Free and RoHS | |
| 幅 | 3 mm | |
| 長さ | 3mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ デュアルNチャンネルパワートレンチMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
パッケージ型式 電力 33 | ||
シリーズ PowerTrench | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 10mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 1.9W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±12 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 30nC | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.75mm | ||
規格 / 承認 Lead-Free and RoHS | ||
幅 3 mm | ||
長さ 3mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
PowerTrench®デュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
Semis PowerTrench ® MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。