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MOSFET・モスフェット
onsemi Pチャンネル MOSFET250 V 5.9 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
RS品番:
807-5888
メーカー型番:
FQP9P25
メーカー/ブランド名:
onsemi
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RS品番:
807-5888
メーカー型番:
FQP9P25
メーカー/ブランド名:
onsemi
データシート
その他
詳細情報
仕様
FQP9P25, P-Channel QFET MOSFET -250V -9.4A 620mOhm Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
Fairchild Semiconductor QFET® PチャンネルMOSFET
Fairchild Semiconductorの最新のQFET®プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。
オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。先進的なQFET®プロセス技術を使用して、競合のプレーナ型MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を提供することができます。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
特性
チャンネルタイプ
P
最大連続ドレイン電流
5.9 A
最大ドレイン-ソース間電圧
250 V
シリーズ
QFET
パッケージタイプ
TO-220
実装タイプ
スルーホール
ピン数
3
最大ドレイン-ソース間抵抗
620 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧
3V
最大パワー消費
120 W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-30 V, +30 V
幅
4.7mm
標準ゲートチャージ @ Vgs
29 nC @ 10 V
動作温度 Max
+150 °C
長さ
10.67mm
トランジスタ素材
Si
1チップ当たりのエレメント数
1
動作温度 Min
-55 °C
高さ
16.3mm
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