2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 1.1 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI1967DH-T1-GE3 パッケージSC-88

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梱包形態
RS品番:
812-3108
メーカー型番:
SI1967DH-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

1.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SC-88

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

790mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

1.25W

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.6nC

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

高さ

1mm

幅

1.35 mm

長さ

2.2mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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