2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 1.1 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI1967DH-T1-GE3 パッケージSC-88
- RS品番:
- 812-3108
- メーカー型番:
- SI1967DH-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 50 - 100 | ￥58.32 | ￥2,916 |
| 150 - 1200 | ￥50.46 | ￥2,523 |
| 1250 - 1450 | ￥43.72 | ￥2,186 |
| 1500 - 2450 | ￥35.88 | ￥1,794 |
| 2500 + | ￥29.16 | ￥1,458 |
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- RS品番:
- 812-3108
- メーカー型番:
- SI1967DH-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 1.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SC-88 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 790mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 最大許容損失Pd | 1.25W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 高さ | 1mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 幅 | 1.35 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 1.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SC-88 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 790mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
動作温度 Min 150°C | ||
最大許容損失Pd 1.25W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.6nC | ||
動作温度 Max -55°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
高さ 1mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 2.2mm | ||
幅 1.35 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN