型番

2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 1.1 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI1967DH-T1-GE3 パッケージSC-88

RS品番:: 812-3108
メーカー型番:: SI1967DH-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 1.1 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI1967DH-T1-GE3 パッケージSC-88

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150 - 1200	￥56.32	￥2,816
1250 - 1450	￥48.82	￥2,441
1500 - 2450	￥40.04	￥2,002
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RS品番:: 812-3108
メーカー型番:: SI1967DH-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプP
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	1.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	SC-88
	シリーズ	TrenchFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	790mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	2.6nC
	最大許容損失Pd	1.25W
	最大ゲートソース電圧Vgs	8 V
	動作温度 Max	-55°C
	トランジスタ構成	分離式
	高さ	1mm
	幅	1.35 mm
	長さ	2.2mm
	規格 / 承認	No
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプP
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 1.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 SC-88
	シリーズ TrenchFET
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 790mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min 150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.6nC
	最大許容損失Pd 1.25W
	最大ゲートソース電圧Vgs 8 V
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成分離式
	高さ 1mm
	幅 1.35 mm
	長さ 2.2mm
	規格 / 承認 No
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 1.1 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, SI1967DH-T1-GE3 パッケージSC-88

デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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