2 Vishay MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 700 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSC-88
- RS品番:
- 165-6904
- メーカー型番:
- SI1553CDL-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 リール(1リール3000個入り) 小計：*
￥59,940.00
(税抜)
￥65,940.00
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2026年10月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥19.98 | ￥59,940 |
| 15000 - 27000 | ￥19.689 | ￥59,067 |
| 30000 - 72000 | ￥19.21 | ￥57,630 |
| 75000 - 147000 | ￥18.714 | ￥56,142 |
| 150000 + | ￥18.218 | ￥54,654 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 165-6904
- メーカー型番:
- SI1553CDL-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 700mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SC-88 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.48mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| 最大許容損失Pd | 340mW | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 700mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SC-88 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.48mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1.2nC | ||
最大許容損失Pd 340mW | ||
動作温度 Min 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max -55°C | ||
長さ 2.2mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- PH
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
関連ページ
- 2 Vishay MOSFET 分離式 タイプNチャンネル 表面 20 V SI1553CDL-T1-GE3 パッケージSC-88
- 2 Vishay パワーMOSFET 分離式 1.1 A 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSC-88
- 2 Vishay パワーMOSFET 分離式 1.3 A 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSC-88
- 2 Vishay パワーMOSFET 分離式 1.1 A 6-Pin エンハンスメント型, SI1967DH-T1-GE3 パッケージSC-88
- 2 Vishay パワーMOSFET 分離式 1.3 A 6-Pin エンハンスメント型, SI1922EDH-T1-GE3 パッケージSC-88
- 2 Vishay MOSFET 分離式 タイプNチャンネル 表面 60 V SI1029X-T1-GE3 パッケージSC-89-6
- 2 DiodesZetex MOSFET 分離式 タイプNチャンネル 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSC-88
- 2 DiodesZetex MOSFET 分離式 タイプNチャンネル 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSC-88