型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSOT-363, SIA462DJ-T1-GE3

RS品番:: 814-1222
メーカー型番:: SIA462DJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSOT-363, SIA462DJ-T1-GE3

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RS品番:: 814-1222
メーカー型番:: SIA462DJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	12A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	SiA462DJ
	パッケージ型式	SOT-363
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.018Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	最大許容損失Pd	19W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	17nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	幅	2.15 mm
	高さ	0.8mm
	規格 / 承認	Lead (Pb)-Free
	長さ	2.15mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 12A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ SiA462DJ
	パッケージ型式 SOT-363
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.018Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	最大許容損失Pd 19W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	幅 2.15 mm
	高さ 0.8mm
	規格 / 承認 Lead (Pb)-Free
	長さ 2.15mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSOT-363, SIA462DJ-T1-GE3

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NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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