Vishay パワーMOSFET, タイプPチャンネル, 30 V, 12 A, 0.038 Ω, 23.1 nC, 6ピン, パッケージ:SOT-363

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梱包形態
RS品番:
814-1213
メーカー型番:
SIA449DJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SOT-363

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.038Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

23.1nC

順方向電圧 Vf

-0.8V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

12V

最大許容損失Pd

19W

動作温度 Max

150°C

2.15mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

2.15mm

高さ

0.8mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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