Vishay パワーMOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSOT-363, SIA449DJ-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
814-1213
メーカー型番:
SIA449DJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOT-363

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.038Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-0.8V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

23.1nC

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

最大許容損失Pd

19W

動作温度 Max

150°C

高さ

0.8mm

規格 / 承認

RoHS

2.15 mm

長さ

2.15mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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