型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 14 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHF530STRR-GE3

RS品番:: 815-2613
メーカー型番:: SIHF530STRR-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 14 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHF530STRR-GE3

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500 - 990	￥192.20	￥1,922
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RS品番:: 815-2613
メーカー型番:: SIHF530STRR-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	14A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	シリーズ	SiHF530S
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	160mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	26nC
	最大許容損失Pd	88W
	順方向電圧 Vf	2.5V
	動作温度 Max	175°C
	幅	9.65 mm
	長さ	10.67mm
	規格 / 承認	No
	高さ	4.83mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 14A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	シリーズ SiHF530S
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 160mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 26nC
	最大許容損失Pd 88W
	順方向電圧 Vf 2.5V
	動作温度 Max 175°C
	幅 9.65 mm
	長さ 10.67mm
	規格 / 承認 No
	高さ 4.83mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 14 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHF530STRR-GE3

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NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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