Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 11.3 A エンハンスメント型, 表面, 6-Pin パッケージSC-70, SIA416DJ-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
818-1441
メーカー型番:
SIA416DJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

11.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

ThunderFET

パッケージ型式

SC-70

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

130mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.85V

最大許容損失Pd

19W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.5nC

動作温度 Max

150°C

高さ

0.75mm

長さ

2.15mm

規格 / 承認

No

2.15 mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

NチャンネルMOSFET、中電圧 / ThunderFET®、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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