Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 12 A, 表面 パッケージPowerPAK SC-70, SIA4263DJ-T1-GE3

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RS品番:
239-5364
メーカー型番:
SIA4263DJ-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

SiA4263DJ

パッケージ型式

PowerPAK SC-70

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

199mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.8nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±8 V

最大許容損失Pd

15.6W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay PチャンネルMOSFETのドレイン電流は-12 Aです。モバイルデバイス、バッテリスイッチ、ロードスイッチ、PAスイッチのバッテリ管理に使用されます。

RDS(on)定格 @ VGS = -1.8 V

100 % Rg及びUISテスト済み

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