Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 195 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IRFB7530PBF
- RS品番:
- 820-8833
- メーカー型番:
- IRFB7530PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 12 - 22 | ￥454.50 | ￥909 |
| 24 - 30 | ￥443.00 | ￥886 |
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- RS品番:
- 820-8833
- メーカー型番:
- IRFB7530PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 195A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | StrongIRFET | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 274nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 高さ | 16.51mm | |
| 幅 | 4.83 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 195A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ StrongIRFET | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 274nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.67mm | ||
高さ 16.51mm | ||
幅 4.83 mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンStrongIRFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流195A、最大許容損失375W - IRFB7530PBF
この大電流NチャネルMOSFETは、さまざまなパワー・アプリケーション向けに設計されています。その高度な構造により、厳しい環境下でも効率的なスイッチングと特筆すべき性能を発揮し、電気回路を効果的に機能させるために信頼性と堅牢性が不可欠なオートメーションやエレクトロニクスの分野に適しています。
特徴と利点
• 最大連続ドレイン電流195A
• 55℃～+175℃の広い動作温度範囲
• 堅牢なアバランシェ耐久性とダイナミックdV/dt耐久性で耐久性を強化
• 完全に特性化されたキャパシタンスとアバランシェSOA
• 鉛フリー、環境安全性に関するRoHS規制に準拠
用途
• ブラシ付きモーター駆動に使用
• ハーフブリッジおよびフルブリッジのトポロジーに最適
• 同期整流器に最適
• バッテリー駆動回路やDC/DCコンバーターに最適
• AC/DCおよびDC/ACインバーターシステムに従事
この部品の最大ゲートしきい値電圧は？
最大ゲートしきい値電圧は3.7Vで、さまざまなゲート駆動構成で効率よく動作する。
このMOSFETは高温環境でも動作しますか？
はい、-55℃から+175℃の温度範囲で効果的に機能し、過酷な条件に適しています。
このMOSFETの電力損失はどうですか？
最大消費電力は375Wで、かなりの負荷条件下でも信頼できる性能を保証する。
DCとACの両方の用途に使用できますか？
このコンポーネントは汎用性を重視して設計されており、DC/DCおよびAC/DC電力変換アプリケーションの両方で効果的な性能を発揮します。
RDS(on)が低いことが回路設計に与える影響は？
RDS(on)が低いと伝導損失が最小限に抑えられるため、システム全体の効率が向上し、ヒートシンクの小型化や回路設計における熱性能の向上が可能になる。