DiodesZetex パワーMOSFET, タイプN, タイプPチャンネル, 分離式, 30 V, 4.5 A, 190 mΩ, 5.4 nC, 6ピン, パッケージ：TSOT
- RS品番:
- 122-3246
- メーカー型番:
- DMG6601LVT-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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| 30000 - 72000 | ￥22.421 | ￥67,263 |
| 75000 - 147000 | ￥22.39 | ￥67,170 |
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- RS品番:
- 122-3246
- メーカー型番:
- DMG6601LVT-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプP | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | TSOT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 190mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.75V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 1.3W | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| 長さ | 2.9mm | |
| 高さ | 0.9mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプP | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 TSOT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 190mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 5.4nC | ||
順方向電圧 Vf 0.75V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 1.3W | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
長さ 2.9mm | ||
高さ 0.9mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
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