型番

2 DiodesZetex MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 540 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN2004DMK-7 パッケージSOT-26

RS品番:: 823-2927
メーカー型番:: DMN2004DMK-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

2 DiodesZetex MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 540 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN2004DMK-7 パッケージSOT-26

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25 - 125	￥67.80	￥1,695
150 - 1350	￥58.36	￥1,459
1375 - 1725	￥49.92	￥1,248
1750 - 2225	￥41.60	￥1,040
2250 +	￥33.32	￥833

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RS品番:: 823-2927
メーカー型番:: DMN2004DMK-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	540mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	SOT-26
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	900mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	8 V
	動作温度 Min	150°C
	順方向電圧 Vf	1.4V
	最大許容損失Pd	225mW
	動作温度 Max	-65°C
	トランジスタ構成	分離式
	幅	1.7 mm
	長さ	3.1mm
	高さ	1.3mm
	規格 / 承認	MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0, RoHS
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 540mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 SOT-26
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 900mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 8 V
	動作温度 Min 150°C
	順方向電圧 Vf 1.4V
	最大許容損失Pd 225mW
	動作温度 Max -65°C
	トランジスタ構成分離式
	幅 1.7 mm
	長さ 3.1mm
	高さ 1.3mm
	規格 / 承認 MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0, RoHS
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

2 DiodesZetex MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 540 mA, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN2004DMK-7 パッケージSOT-26

デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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