DiodesZetex Nチャンネル MOSFET20 V 630 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- RS品番:
- 922-8008
- メーカー型番:
- DMN2004K-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥14.321 | ￥42,963.00 |
| 15000 - 27000 | ￥13.973 | ￥41,919.00 |
| 30000 - 72000 | ￥13.625 | ￥40,875.00 |
| 75000 - 147000 | ￥13.277 | ￥39,831.00 |
| 150000 + | ￥12.929 | ￥38,787.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 922-8008
- メーカー型番:
- DMN2004K-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
NチャンネルMOSFET、12 V → 28 V、Diodes Inc
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 630 mA |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 20 V |
| パッケージタイプ | SOT-23 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 900 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 1V |
| 最大パワー消費 | 350 mW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -8 V, +8 V |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 0.9 nC @ 4.5 V |
| 幅 | 1.4mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 長さ | 3mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 高さ | 1.1mm |
| 動作温度 Min | -65 °C |
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