2 Infineon MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 3.5 A, 表面 25 V, 8-Pin エンハンスメント型, IRF7105TRPBF パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計：*

￥2,095.00

(税抜)

￥2,304.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 6,560 は 2026年1月19日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
20 - 180￥104.75￥2,095
200 - 1880￥92.05￥1,841
1900 - 2380￥78.30￥1,566
2400 - 3180￥65.65￥1,313
3200 +￥52.95￥1,059

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
826-8829
Distrelec 品番:
304-44-450
メーカー型番:
IRF7105TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

3.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

400mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

最大許容損失Pd

2W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

150°C

幅

4 mm

規格 / 承認

No

長さ

5mm

高さ

1.5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

デュアルN / PチャンネルパワーMOSFET、Infineon


InfineonのデュアルパワーMOSFETでは、2つのHEXFET®デバイスが統合されているので、基板スペースが最優先される高コンポーネント密度の設計において、省スペースでコスト効果の高いスイッチングソリューションが実現されます。 さまざまなパッケージングオプションを用意しているので、設計者はデュアルN/Pチャンネル構成を選択できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ