Infineon パワー トランジスタ, タイプNチャンネル 60 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB80N06S4L05ATMA2

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RS品番:
826-8998
メーカー型番:
IPB80N06S4L05ATMA2
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワー トランジスタ

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

OptiMOS -T2

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±16 V

最大許容損失Pd

107W

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

83nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

4.4mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

10mm

幅

9.25 mm

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 該当なし

Infineon OptiMOS™ T2パワーMOSFET


Infineonの新しいOptiMOS ™ -T2は、CO2削減機能と電気ドライブを備えた省エネMOSFETトランジスタシリーズです。 この新しいOptiMOS™ -T2製品ファミリは、既存のOptiMOS™ -T及びOptiMOS™の拡張ファミリです。

OptiMOS™製品は、極めて厳しい用途にも対応する高性能パッケージに収納され、限られたスペースに最大限の柔軟性をもたらします。 これらのInfineon製品は、コンピュータ用途における次世代電圧標準のエネルギー効率及び電力密度要件を満たすだけなく、それを超える性能を発揮します。

Nチャンネル - 強化モード

AEC認定

MSL1、最大260 °Cピークのリフロー

175 °Cの動作温度

環境配慮製品(RoHS対応)

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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