Infineon MOSFET, Nチャンネル, 250 V, 17 A, 100 mΩ, 14 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 826-9002
- メーカー型番:
- IPB17N25S3100ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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| 400 - 580 | ￥334.05 | ￥6,681 |
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- RS品番:
- 826-9002
- メーカー型番:
- IPB17N25S3100ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 17A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 250V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | OptiMOS-T | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 100mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 107W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 9.25mm | |
| 高さ | 4.4mm | |
| 長さ | 10mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 17A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 250V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ OptiMOS-T | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 100mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 107W | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 9.25mm | ||
高さ 4.4mm | ||
長さ 10mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
RoHSステータス: 該当なし
インフィニオン OptiMOS-T シリーズ MOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 250V、最大連続ドレイン電流 17A - IPB17N25S3100ATMA1
このMOSFETは、自動車および産業用電源システムにおける高電圧スイッチング用に設計された表面実装型のNチャンネルエンハンスメントデバイスです。幅広い温度範囲で動作し、機械パッケージやピン数の詳細は明記されていないながら、堅牢な耐熱性と制御されたスイッチング性能が求められる用途向けに設計されています。
特長：
• 250Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 17Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 最大100 mΩのRDS(on)により、電力段階の導通損失を低減
• 効率的なスイッチング制御における14nCの標準ゲート電荷
• 0.9Vの順方向電圧により、ダイオード伝導降下を抑制
• 最大許容電力107Wで高出力動作を実現
• 17Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流をサポート
• 最大100 mΩのRDS(on)により、電力段階の導通損失を低減
• 効率的なスイッチング制御における14nCの標準ゲート電荷
• 0.9Vの順方向電圧により、ダイオード伝導降下を抑制
• 最大許容電力107Wで高出力動作を実現
用途
• 自動車用高電圧DC-DCコンバーターに最適
• 車載用電子機器におけるモーター駆動用ハーフブリッジに最適
• 産業用電源の電源管理モジュールに使用
• スイッチモード電源一次スイッチに使用可能
• 車載用電子機器におけるモーター駆動用ハーフブリッジに最適
• 産業用電源の電源管理モジュールに使用
• スイッチモード電源一次スイッチに使用可能
スイッチング性能に関して、ゲートドライブではどのような点を考慮する必要がありますか？
対象とするスイッチング間隔内にゲート電荷を供給できるドライバを使用
標準14nCの電荷により、選択したドライブ電圧のピークゲート電流とスイッチング損失を推定できます。
熱環境は連続電流性能にどのように影響しますか？
このデバイスの107Wの消散定格には、指定された17Aの連続電流を伝送するときに安全なジャンクション温度を維持するために、適切な基板熱設計とヒートシンクが必要です。
このデバイスのゲートにはどのような保護制限が適用されますか？
ゲートオキサイドの過負荷を避けるため、ゲート電圧が±20V以内に保たれることを確認し、誘導スイッチングスパイクにさらされた場合の過渡抑制を検討してください。
このデバイスの低温始動と高温動作に対する耐性はどの程度ですか？
低い自動車温度から高温条件まで動作するように設計され、幅広い周囲温度変動を受けるシステムでの使用に適しています。